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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 8.48 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 115 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.66 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPW65R660CFDXK | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPW80R280P7 | INFINEON |
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800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足 |
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| IPW80R290C3A | INFINEON |
获取价格 |
The CoolMOS™ C3A technology was designed to m |
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| IPW80R360P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足 |
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| IPW90R120C3 | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPW90R120C3FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 900V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPW90R120C3XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPW90R1K0C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPW90R1K0C3FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IPW90R1K2C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS? Power Transistor |
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