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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 8.53 | 雪崩能效等级（Eas）： | 290 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 39 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPW65R280C6FKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPW65R280E6 | INFINEON |
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650V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPW65R310CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor |
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| IPW65R420CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor |
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| IPW65R660CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS CFD Power Transistor |
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| IPW65R660CFDFKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPW65R660CFDXK | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPW80R280P7 | INFINEON |
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800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足 |
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| IPW80R290C3A | INFINEON |
获取价格 |
The CoolMOS™ C3A technology was designed to m |
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| IPW80R360P7 | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足 |
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