Datasheet > IPW65R045C7

IPW65R045C7

更新时间： 2024-01-04 03:10:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	2011K
描述
650V CoolMOSâ¢ C7 Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPW65R045C7 数据手册

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

CoolMOS™ꢀC7

650VꢀCoolMOS™ꢀC7ꢀPowerꢀTransistor

IPW65R045C7

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.0

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPW65R048CFDA	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPW65R048CFDAFKSA1	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS CFDA Power Transistor
IPW65R050CFD7A	INFINEON	获取价格	TO-247 引脚封装中的 50mOhm IPW65R050CFD7A 是汽车级认证 65
IPW65R060CFD7	INFINEON	获取价格	英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R029CFD
IPW65R065C7	INFINEON	获取价格	英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范
IPW65R070C6	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS C6 Power Transistor
IPW65R075CFD7A	INFINEON	获取价格	TO-247 引脚封装中的 75mOhm IPW65R075CFD7A是汽车级认证 650
IPW65R080CFD	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS CFD Power Transistor
IPW65R080CFDA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPW65R080CFDAFKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M