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英飞凌 - INFINEON | ![]() |
电站栅服务器电信栅极 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
14页 | 1385K | ![]() |
描述 | ||
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R155CFD7 采用 TO-247 封装,尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品,该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品,IPW65R155CFD7 的栅极电荷更低,关断行为得以改善,反向恢复电荷较低,从而可显著提高效率与功率密度,且击穿电压可额外提高 50V。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPW65R190C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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IPW65R190C6FKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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IPW65R190C7 | INFINEON |
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英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范 |
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IPW65R190CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 |
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IPW65R190CFD7A | INFINEON |
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TO-247 引脚封装中的 190mOhm IPW65R190CFD7A是汽车级认证 65 |
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IPW65R190E6 | INFINEON |
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650V CoolMOS⢠E6 Power Transistor |
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IPW65R230CFD7A | INFINEON |
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The 230mOhm IPW65R230CFD7A in TO-247 package is part of the automotive-qualified 650V Cool |
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IPW65R280C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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IPW65R280C6FKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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IPW65R280E6 | INFINEON |
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650V CoolMOS E6 Power Transistor |
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