型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPW65R110CFDAFKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPW65R110CFDFKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPW65R110CFDFKSA2 | INFINEON |
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暂无描述 | |
IPW65R115CFD7A | INFINEON |
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TO-247 引脚封装中的 115mOhm IPW65R115CFD7A是汽车级认证 65 | |
IPW65R125C7 | INFINEON |
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英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范 | |
IPW65R125CFD7 | INFINEON |
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英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R125CFD | |
IPW65R145CFD7A | INFINEON |
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TO-247 引脚封装中的 145mOhm IPW65R145CFD7A是汽车级认证 65 | |
IPW65R150CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 | |
IPW65R150CFDA | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先 | |
IPW65R155CFD7 | INFINEON |
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英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R155CFD |