5秒后页面跳转
IPW65R080CFDAXK PDF预览

IPW65R080CFDAXK

更新时间: 2024-09-28 08:12:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
14页 1110K
描述
Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

IPW65R080CFDAXK 数据手册

 浏览型号IPW65R080CFDAXK的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPW65R080CFDAXK的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPW65R080CFDAXK的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPW65R080CFDAXK的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPW65R080CFDAXK的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPW65R080CFDAXK的Datasheet PDF文件第7页 
MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CFDA Automotive  
650V CoolMOS™ CFDA Power Transistor  
IPW65R080CFDA  
Data Sheet  
Rev. 2.1  
Final  
Automotive  

与IPW65R080CFDAXK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPW65R080CFDFKSA2 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IPW65R095C7 ISC

获取价格

N-Channel MOSFET Transistor
IPW65R095C7 INFINEON

获取价格

英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范
IPW65R099C6 ISC

获取价格

N-Channel MOSFET Transistor
IPW65R099CFD7A INFINEON

获取价格

TO-247 引脚封装中的 99mOhm IPW65R099CFD7A是汽车级认证 650
IPW65R110CFD INFINEON

获取价格

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPW65R110CFD7 INFINEON

获取价格

英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPW65R110CFD
IPW65R110CFDA INFINEON

获取价格

650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先
IPW65R110CFDAFKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPW65R110CFDFKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M