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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 26 weeks | 风险等级： | 1.72 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 480 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPC100N04S5-1R7 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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| IPC100N04S5-1R9 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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| IPC100N04S5-2R8 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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| IPC100N04S5L-1R1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPC100N04S5L-1R5 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPC100N04S5L-1R9 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPC100N04S5L-2R6 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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