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IPC100N04S5L-1R9

更新时间: 2024-11-06 14:56:19
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9页 421K
描述
车规级MOSFET

IPC100N04S5L-1R9 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.66雪崩能效等级(Eas):130 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (ID):100 A
最大漏源导通电阻:0.0025 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPC100N04S5L-1R9 数据手册

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IPC100N04S5L-1R9  
OptiMOS-5 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
1.9  
100  
V
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
Features  
PG-TDSON-8-34  
• OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications  
• N-channel - Enhancement mode - Logic Level  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
1
1
Type  
Package  
Marking  
IPC100N04S5L-1R9  
PG-TDSON-8-34 5N04L1R9  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
100  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
100  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25°C  
400  
130  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=50A  
mJ  
A
I AS  
-
100  
VGS  
-
±16  
V
Ptot  
T C=25°C  
Power dissipation  
100  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
Rev. 1.3  
page 1  
2017-08-03  

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