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IPC100N04S5L-1R5

更新时间： 2024-11-27 20:01:27

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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPC100N04S5L-1R5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IPC100N04S5L-1R5 数据手册

IPC100N04S5L-1R5

OptiMOS^™-5 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

1.5

100

R_DS(on),max

I_D

Features

PG-TDSON-8-34

• OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

• N-channel - Enhancement mode - Logic Level

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPC100N04S5L-1R5

PG-TDSON-8-34 5N04L1R5

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25°C, V_GS=10V

100

T _C=100°C, V_GS=10V²⁾

100

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25°C

400

220

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=50A

I _AS

100

V_GS

±16

P_tot

T _C=25°C

Power dissipation

115

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.2

page 1

2016-12-06

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPC100N04S5L2R6ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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