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INA110KP

更新时间： 2024-11-04 02:58:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 519K
描述
Fast-Settling FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER

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INA110KP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP-16针数：16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.83Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：181339
Samacsys Pin Count：16Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Dual-In-Line PackagesSamacsys Footprint Name：N (R-PDIP-T)--
Samacsys Released Date：2017-01-12 12:59:53Is Samacsys：N
放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.0001 µA
标称带宽 (3dB)：2.5 MHz最小共模抑制比：70 dB
最大输入失调电流 (IIO)：0.00005 µA最大输入失调电压：1500 µV
JESD-30 代码：R-PDIP-T16JESD-609代码：e4
长度：19.305 mm负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V最大非线性：0.04%
功能数量：1端子数量：16
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP16,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE包装方法：TUBE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：+-15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
标称压摆率：17 V/us子类别：Instrumentation Amplifier
最大压摆率：9 mA供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：NO
温度等级：MILITARY端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压增益：800最小电压增益：1
标称电压增益：10宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

INA110KP 数据手册

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INA110  
INA110  
I
N
A
1
1
0
SBOS147A – SEPTEMBER 1986 – JULY 2005  
Fast-Settling FET-Input  
INSTRUMENTATION AMPLIFIER  
FEATURES  
APPLICATIONS  
● LOW BIAS CURRENT: 50pA max  
● FAST SETTLING: 4µs to 0.01%  
● HIGH CMR: 106dB min; 90dB at 10kHz  
● INTERNAL GAINS: 1, 10, 100, 200, 500  
● VERY LOW GAIN DRIFT: 10 to 50ppm/°C  
● LOW OFFSET DRIFT: 2µV/°C  
● MULTIPLEXED INPUT DATA  
ACQUISITION SYSTEM  
● FAST DIFFERENTIAL PULSE AMPLIFIER  
● HIGH SPEED GAIN BLOCK  
● AMPLIFICATION OF HIGH IMPEDANCE  
SOURCES  
● LOW COST  
● PINOUT SIMILAR TO AD524 AND AD624  
INA110  
FET  
Input  
DESCRIPTION  
1
–In  
4.44kΩ  
13  
10kΩ  
10kΩ  
10  
The INA110 is  
a versatile monolithic FET-input  
X 10  
A1  
Sense  
Output  
Ref  
instrumentation amplifier. Its current-feedback circuit topol-  
ogy and laser trimmed input stage provide  
excellent dynamic performance and accuracy. The INA110  
settles in 4µs to 0.01%, making it ideal for high speed or  
multiplexed-input data acquisition systems.  
404Ω  
12  
16  
11  
X 100  
X 200  
X 500  
(1)  
201Ω  
20kΩ  
9
80.2Ω  
A3  
20kΩ  
Internal gain-set resistors are provided for gains of 1, 10,  
100, 200, and 500V/V. Inputs are protected for differential  
and common-mode voltages up to ±VCC. Its very high input  
impedance and low input bias current make the INA110 ideal  
for applications requiring input filters or input protection  
circuitry.  
3
2
RG  
10kΩ  
10kΩ  
6
A2  
+In  
FET  
Input  
4
5
8
7
14 15  
The INA110 is available in 16-pin plastic and ceramic DIPs,  
and in the SOL-16 surface-mount package. Military, indus-  
trial and commercial temperature range grades are available.  
Input  
Offset  
Adjust  
+VCC  
–VCC  
Output  
Offset  
Adjust  
NOTE: (1) Connect to RG for desired gain.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
All trademarks are the property of their respective owners.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
Copyright © 1986-2005, Texas Instruments Incorporated  
www.ti.com  
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