是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOIC-16 |
针数: | 16 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.46 | 放大器类型: | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0001 µA | 标称带宽 (3dB): | 2.5 MHz |
最小共模抑制比: | 70 dB | 最大输入失调电流 (IIO): | 0.00005 µA |
最大输入失调电压: | 6000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 10.3 mm |
湿度敏感等级: | 2 | 负供电电压上限: | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 最大非线性: | 0.04% |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP16,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 220 |
电源: | +-15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.65 mm | 标称压摆率: | 17 V/us |
子类别: | Instrumentation Amplifier | 最大压摆率: | 4.5 mA |
供电电压上限: | 18 V | 标称供电电压 (Vsup): | 15 V |
表面贴装: | YES | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压增益: | 800 |
最小电压增益: | 1 | 标称电压增益: | 10 |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
INA110KU | TI |
类似代替 |
Fast-Settling FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
INA110KU-BI | TI |
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INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 6000uV OFFSET-MAX, 2.5MHz BAND WIDTH, PDSO16 | |
INA110KU-BI | BB |
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Instrumentation Amplifier, 1 Func, 6000uV Offset-Max, 2.5MHz Band Width, PDSO16, | |
INA110SD | BB |
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Instrumentation Amplifier, 1 Func, | |
INA110SG | BB |
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Fast-Settling FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER | |
INA110SG | TI |
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Fast-Settling FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER | |
INA110SG1 | TI |
获取价格 |
Fast-Settling FET-Input Very High Accuracy Instrumentation Amplifier 10-TO-100 | |
INA110SG-BI | BB |
获取价格 |
Instrumentation Amplifier, 1 Func, 3250uV Offset-Max, 2.5MHz Band Width, CDIP16, | |
INA111 | BB |
获取价格 |
High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER | |
INA111 | TI |
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高速 FET 输入仪表放大器 | |
INA111_07 | BB |
获取价格 |
High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |