5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 放大器类型： | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.00002 µA | 标称带宽 (3dB)： | 2 MHz |
| 最小共模抑制比： | 80 dB | 最大输入失调电流 (IIO)： | 0.00001 µA |
| 最大输入失调电压： | 2500 µV | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 负供电电压上限： | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V | 最大非线性： | 0.02% |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | +-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称压摆率： | 17 V/us |
| 子类别： | Instrumentation Amplifiers | 最大压摆率： | 4.5 mA |
| 供电电压上限： | 18 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 最大电压增益： | 10000 | 最小电压增益： | 1 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| INA111BPG4 | BB |
获取价格 |
High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
| INA111BU | BB |
获取价格 |
High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
| INA111BU | TI |
获取价格 |
高速 FET 输入仪表放大器 | DW | 16 |
|
| INA111BUE4 | BB |
获取价格 |
High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
| INA111BU-TR | BB |
获取价格 |
Instrumentation Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, 2MHz Band Width, PDSO16, |
|
| INA114 | BB |
获取价格 |
Precision INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
| INA114 | TI |
获取价格 |
Precision INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
| INA114AG | BB |
获取价格 |
Precision INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
| INA114AG | TI |
获取价格 |
INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 625uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP8 |
|
| INA114AP | BB |
获取价格 |
Precision INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
