是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOIC-16 | 针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 5.12 | 放大器类型: | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.00002 µA | 标称带宽 (3dB): | 2 MHz |
最小共模抑制比: | 75 dB | 最大输入失调电流 (IIO): | 0.00001 µA |
最大输入失调电压: | 6000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 10.3 mm |
湿度敏感等级: | 3 | 负供电电压上限: | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 最大非线性: | 0.04% |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP16,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 包装方法: | TR |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | +-15 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.65 mm |
标称压摆率: | 17 V/us | 子类别: | Instrumentation Amplifier |
最大压摆率: | 4.5 mA | 供电电压上限: | 18 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | YES |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压增益: | 10000 | 最小电压增益: | 1 |
标称电压增益: | 10 | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
INA111AU/1KE4 | BB | High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
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INA111AU/1KG4 | BB | High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
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INA111AUE4 | BB | High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
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INA111AU-TR | BB | Instrumentation Amplifier, 1 Func, 6000uV Offset-Max, 2MHz Band Width, PDSO16, |
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INA111BP | BB | High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
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INA111BP | TI | 高速 FET 输入仪表放大器 | P | 8 |
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