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IMX2T109

更新时间: 2024-11-08 07:54:07
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罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

IMX2T109 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:0.4 V

IMX2T109 数据手册

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