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IMX4

更新时间： 2022-11-25 09:34:37

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
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2页	69K
描述
High transition frequency (dual transistors)

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IMX4 数据手册

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EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N /

FMW6 / FMW10 / IMX4

Transistors

High transition frequency (dual transistors)

EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N /

FMW6 / FMW10 / IMX4

!Features

1) Two 2SC3837K chips in a EMT or UMT or SMT package.

2) High transition frequency. (f^T=1.5GHz)

3) Low output capacitance. (Cob=0.95pF)

!Equivalent circuit

EMX4 / UMX4N

IMX4

UMW6N

FMW6

UMW10

FMW10

(3) (2)

(1)

(4) (5)

(6)

(3) (2)

(1)

(3) (4)

(5)

(3)

(2)

(1)

(3)

(4)

(5)

(5)

(1)

(5)

(1)

(4)

(5)

(6)

(3)

(2)

(1)

(4)

(2)

(4)

(2)

!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

30

18

V

3

V

Collector current

I

C

50

mA

EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N

Collector power

150(TOTAL)

300(TOTAL)

150

∗1

∗2

Pc

mW

dissipation

FMW6 / FMW10 / IMX4

Junction temperature

Storage temperature

Tj

°C

°C

Tstg

−55~

+150

∗1 120mW per element must not be exceeded.

∗2 200mW per element must not be exceeded.

!Electrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

Symbol

Min.

Typ.

−

−

Max.

−

−

Conditions

Unit

V

BV^CBO

BVCEO

BVEBO

30

18

3

I

I

I

C

=10µA

V

C=1mA

−

−

−

−

V

E

=10µA

CB=10V

EB=2V

I

CBO

EBO

FE

CE(sat)

FE1 / FE2

−

−

0.5

0.5

270

0.5

2

µA

µA

−

V

V

V

Emitter cutoff current

I

DC current transfer ratio

27

−

0.5

600

−

−

−

h

CE/I

C

=10V/10mA

=20mA/4mA

V

I

C/I

B

Collector-emitter saturation voltage

V

h

h

−

1

V

CE/I

C

=10V/10mA

=10V/10mA, f=200MHz

=0A

hFE pairing

Transition frequency

f

T

1500

0.95

−

1.6

∗

MHz

pF

V

V

CE/I

C

Output capacitance

Cob

CB/f=10V/1MHz, I

E

∗Transition frequency of the device.

12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IMX4T108	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 18V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-25	获取价格
IMX4T109	ROHM	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN,	获取价格
IMX4T110	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 18V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,	获取价格
IMX4T148	ROHM	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, SMT6, 6 PIN	获取价格
IMX5	ROHM	High transition frequency (dual transistors)	获取价格
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