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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> IMX1T110
IMX1T110 PDF预览

IMX1T110

更新时间： 2024-09-17 12:28:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
General purpose transistors(dual transistors)

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IMX1T110 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.15最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

IMX1T110 数据手册

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EMX1 / UMX1N / IMX1  
Transistors  
General purpose transistors  
(dual transistors)  
EMX1 / UMX1N / IMX1  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Two 2SC2412K chips in a EMT or UMT or SMT  
package.  
EMX1  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3  
automatic mounting machines.  
3) Transistor elements are independent, eliminating  
interference.  
1.2  
1.6  
Each lead has same dimensions  
ROHM  
: EMT6  
4) Mounting cost and area can be cut in half.  
Abbreviated symbol : X1  
UMX1N  
!Structure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
1.25  
2.1  
0.1Min.  
!Equivalent circuit  
Each lead has same dimensions  
ROHM  
EIAJ  
:
UMT6  
:
SC-88  
EMX1 / UMX1N  
IMX1  
(3) (2) (1)  
(4) (5) (6)  
Abbreviated symbol : X1  
IMX1  
Tr1  
Tr1  
Tr  
2
Tr2  
(4) (5) (6)  
(3) (2) (1)  
1.6  
2.8  
0.3to0.6  
The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2.  
Each lead has same dimensions  
ROHM  
EIAJ  
:
SMT6  
:
SC-74  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Abbreviated symbol : X1  
Limits  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Unit  
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
60  
50  
V
7
V
I
C
150  
mA  
1
∗
2
∗
EMX1, UMX1N  
Power  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
P
C
mW  
dissipation  
IMX1  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55∼+150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
1/3  
1234

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IMX1T110 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IMX1 ROHM

功能相似

 General purpose transistors (dual transistors)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IMX2 ROHM

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