Datasheet > IM4J-65608V-35

IM4J-65608V-35

更新时间： 2024-11-04 20:25:11

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	193K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IM4J-65608V-35 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDSO-N32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC32,.42SQ,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00004 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.14 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IM4J-65608V-35 数据手册

M65608

128 K x 8 Ultimate CMOS SRAM

Introduction

The M 65608 is a very low power CMOS static RAM

organized as 131072 × 8 bits. It is manufactured using

the TEMIC high performance CMOS technology named

SCMOS.

current (Typical value = 0.2 µA) with a fast access time

at 25 ns over the full commercial temperature range.

The high stability of the 6T cell provides excellent

protection against soft errors due to noise.

With this process, TEMIC brings the solution to

applications where fast computing is as mandatory as

low consumption, such as aerospace electronics,

portable instruments, or embarked systems.

For military/space applications that demand superior

levels of performance and reliability the M 65608 is

processed according to the methods of the latest revision

of the MIL STD 883 (class B or S) and/or ESA SCC

9000.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells,

the M 65608 combines an extremely low standby supply

Features

D Access time : commercial : 25/30/35/45 ns

industrial and military : 25/30/35/45 ns

D Very low power consumption

active : 250 mW (Typ)

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

D Single 5 volt supply

D Equal cycle and access time

D Gated inputs :

standby : 1 µW (Typ)

data retention : 0.5 µW (Typ)

no pull-up/down

D Wide temperature Range : –55 To +125°C

resistors are required

D 400 Mils width package

Interface

Block Diagram

MATRA MHS

Rev. B (23/03/96)

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与IM4J-65608V-35相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IM4J-65608V-35:R	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32,
IM4J-65608V-35SHXXX	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32,
IM4J-65608V-35SHXXX:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32,
IM4J-65608V-35SHXXX:R	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32,
IM4J-65608V-45	TEMIC	获取价格	暂无描述
IM4J-65608V-45:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32,
IM4J-65608V-45:RD	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32,
IM4J-65608V-45SHXXX	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32,
IM4J-65608V-45SHXXX:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32,
IM4J-65608V-45SHXXX:R	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32,

与IM4J-65608V-35相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IM4J-65608V-35

IM4J-65608V-35 技术参数

IM4J-65608V-35 数据手册

与IM4J-65608V-35相关器件

与IM4J-65608V-35相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IM4J-65608V-35

IM4J-65608V-35 技术参数

IM4J-65608V-35 数据手册

与IM4J-65608V-35相关器件

与IM4J-65608V-35相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？