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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.012 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.15 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M4048S85C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS |
|
| IDT7M4048S85CB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
|
| IDT7M4068L100CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| IDT7M4068L100N | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
|
| IDT7M4068L120C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX8, 120ns, CMOS, CDIP32 |
|
| IDT7M4068L120CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| IDT7M4068L120N | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
|
| IDT7M4068L17CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX8, 17ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| IDT7M4068L20CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| IDT7M4068L25CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
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