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IDT7M4068L100CB

更新时间： 2024-09-16 20:17:39

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		输入元件静态存储器输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	208K
描述
SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32

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IDT7M4068L100CB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	43.18 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	256KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)	座面最大高度：	9.144 mm
最大待机电流：	0.0004 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7M4068L100N	ETC	获取价格	x8 SRAM Module
IDT7M4068L120C	IDT	获取价格	SRAM Module, 256KX8, 120ns, CMOS, CDIP32
IDT7M4068L120CB	IDT	获取价格	SRAM Module, 256KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
IDT7M4068L120N	ETC	获取价格	x8 SRAM Module
IDT7M4068L17CB	IDT	获取价格	SRAM Module, 256KX8, 17ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
IDT7M4068L20CB	IDT	获取价格	SRAM Module, 256KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
IDT7M4068L25CB	IDT	获取价格	SRAM Module, 256KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
IDT7M4068L30CB	IDT	获取价格	SRAM Module, 256KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
IDT7M4068L35CB	ETC	获取价格	x8 SRAM Module
IDT7M4068L45CB	IDT	获取价格	SRAM Module, 256KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32