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IDT7M4003S30CHB

更新时间： 2024-09-12 14:33:59

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IDT7M4003S30CHB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	30 ns	其他特性：	CONFIGURABLE AS 64K X 16 OR 32K X 32
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CPMA-P66
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX32	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA66,11X11
封装形状：	SQUARE	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)	最大待机电流：	0.08 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.8 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7M4003S35CH	ETC	获取价格	x32 SRAM Module
IDT7M4003S40C	IDT	获取价格	SRAM Module, 128KX8, 40ns, CMOS, CPGA66, SIDE BRAZED, CERAMIC, HIP-66
IDT7M4003S40CB	IDT	获取价格	SRAM Module, 128KX8, 40ns, CMOS, CPGA66, SIDE BRAZED, CERAMIC, HIP-66
IDT7M4003S40CH	ETC	获取价格	x32 SRAM Module
IDT7M4003S40CHB	ETC	获取价格	x32 SRAM Module
IDT7M4003S45C	IDT	获取价格	SRAM Module, 128KX8, 45ns, CMOS, CPGA66, SIDE BRAZED, CERAMIC, HIP-66
IDT7M4003S45CB	IDT	获取价格	SRAM Module, 128KX8, 45ns, CMOS, CPGA66, SIDE BRAZED, CERAMIC, HIP-66
IDT7M4003S45CH	ETC	获取价格	x32 SRAM Module
IDT7M4003S45CHB	ETC	获取价格	x32 SRAM Module
IDT7M4003S50CH	ETC	获取价格	x32 SRAM Module