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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 45 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-XPGA-P66 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 32 |
| 端子数量： | 66 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | PGA |
| 封装等效代码： | PGA66,11X11 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流： | 0.08 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.8 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IDT7M4003S45CHB | ETC | x32 SRAM Module |
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| IDT7M4003S50CH | ETC | x32 SRAM Module |
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| IDT7M4003S50CHB | ETC | x32 SRAM Module |
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| IDT7M4003S60CH | IDT | SRAM Module, 32KX32, 60ns, CMOS, CPMA66 |
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| IDT7M4003S60CHB | ETC | x32 SRAM Module |
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| IDT7M4003S70CHB | ETC | x32 SRAM Module |
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