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IDT72V02L35SO8

更新时间: 2024-09-17 14:42:47
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 先进先出芯片光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 367K
描述
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28

IDT72V02L35SO8 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.66
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
其他特性:RETRANSMIT周期时间:45 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:18.3642 mm内存密度:9216 bit
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:28字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX9输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.048 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:8.763 mmBase Number Matches:1

IDT72V02L35SO8 数据手册

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