是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | PLASTIC, LCC-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.42 |
最长访问时间: | 25 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 28.5 MHz |
周期时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.9954 mm |
内存密度: | 18432 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 2KX9 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.556 mm |
最大待机电流: | 0.0003 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 11.4554 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V03L25SO | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
IDT72V03L35J | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 512 x 9, 1024 x 9, 2048 x 9, 4096 x 9 | |
IDT72V03L35JG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT72V03L35JG8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT72V03L35JI | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT72V03L35SO | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
IDT72V03L35SO8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
IDT72V04 | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 512 x 9, 1024 x 9, 2048 x 9, 4096 x 9 | |
IDT72V04L15J | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT72V04L15JG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32 |