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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | PLASTIC, SOIC-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.62 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | RETRANSMIT |
| 周期时间： | 45 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.3642 mm |
| 内存密度： | 36864 bit | 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.048 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 8.763 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT72V05 | IDT |
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3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO |
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| IDT72V05L15J | IDT |
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3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO |
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| IDT72V05L15J8 | IDT |
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FIFO, 8KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| IDT72V05L15JG8 | IDT |
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FIFO, 8KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| IDT72V05L15JI | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO |
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| IDT72V05L25J | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO |
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| IDT72V05L25JG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 8KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32 |
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| IDT72V05L25JG8 | IDT |
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FIFO, 8KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| IDT72V05L25JGI | IDT |
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暂无描述 |
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| IDT72V05L25JI | IDT |
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3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO |
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