是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | PLASTIC, LCC-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.48 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 15 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz | 周期时间: | 25 ns |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.9954 mm | 内存密度: | 18432 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.556 mm | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 11.4554 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V03L15JI | IDT |
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3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT72V03L25J | IDT |
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3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 512 x 9, 1024 x 9, 2048 x 9, 4096 x 9 | |
IDT72V03L25JG | IDT |
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FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT72V03L25JG8 | IDT |
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FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT72V03L25JGI8 | IDT |
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FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT72V03L25JI | IDT |
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3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT72V03L25JI8 | IDT |
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FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT72V03L25SO | IDT |
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FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
IDT72V03L35J | IDT |
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3.3 VOLT CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 512 x 9, 1024 x 9, 2048 x 9, 4096 x 9 | |
IDT72V03L35JG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32 |