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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFJ | 包装说明： | PLASTIC, LCC-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.58 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | RETRANSMIT | 周期时间： | 140 ns |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 9216 bit | 内存集成电路类型： | OTHER FIFO |
| 内存宽度： | 9 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FIFOs | 最大压摆率： | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7202SA120L | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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| IDT7202SA120L8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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| IDT7202SA120LB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7202SA120LB8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7202SA120P | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| IDT7202SA120SO | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
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| IDT7202SA120SO8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT7202SA120TC | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
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| IDT7202SA120TCB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP |
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| IDT7202SA120TP | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28 |
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