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IDT7202SA120TCB

更新时间： 2024-11-18 17:46:39

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		先进先出芯片内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	442K
描述
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28

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IDT7202SA120TCB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.49
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	RETRANSMIT
周期时间：	140 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	9216 bit
内存集成电路类型：	OTHER FIFO	内存宽度：	9
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1KX9
输出特性：	3-STATE	可输出：	NO
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流：	0.03 A	子类别：	FIFOs
最大压摆率：	0.115 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7202SA120TP	IDT	获取价格	FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28
IDT7202SA120XE	IDT	获取价格	FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERPACK-28
IDT7202SA120XEB	IDT	获取价格	FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERPACK-28
IDT7202SA120Y	ETC	获取价格	x9 Asynchronous FIFO
IDT7202SA15D	ETC	获取价格	x9 Asynchronous FIFO
IDT7202SA15J	IDT	获取价格	FIFO, 1KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
IDT7202SA15L	ETC	获取价格	x9 Asynchronous FIFO
IDT7202SA15L8	IDT	获取价格	FIFO, 1KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT7202SA15P	IDT	获取价格	FIFO, 1KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
IDT7202SA15SO	IDT	获取价格	FIFO, 1KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28