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IDT7202SA120LB8

更新时间: 2024-11-20 17:46:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
13页 442K
描述
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32

IDT7202SA120LB8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCN,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.57
最长访问时间:120 ns其他特性:RETRANSMIT
周期时间:140 nsJESD-30 代码:R-CQCC-N32
JESD-609代码:e0内存密度:9216 bit
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:32字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1KX9输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

IDT7202SA120LB8 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT7202SA120P IDT

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FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
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FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28
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FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28
IDT7202SA120TC ETC

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x9 Asynchronous FIFO
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FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP
IDT7202SA120TP IDT

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FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28
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