5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | 0.330 INCH, SOIC-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.49 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 7 MHz | 周期时间： | 140 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 9216 bit | 内存集成电路类型： | OTHER FIFO |
| 内存宽度： | 9 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP28,.5 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 子类别： | FIFOs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7202SA120SO8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT7202SA120TC | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| IDT7202SA120TCB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP |
|
| IDT7202SA120TP | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28 |
|
| IDT7202SA120XE | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
|
| IDT7202SA120XEB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
|
| IDT7202SA120Y | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| IDT7202SA15D | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| IDT7202SA15J | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| IDT7202SA15L | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
