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IDT71V016L100PH

更新时间: 2024-02-12 23:23:41
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 491K
描述
x16 SRAM

IDT71V016L100PH 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.56最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3端子数量:44
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000005 A最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.035 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

IDT71V016L100PH 数据手册

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