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IDT71V016S12Y

更新时间: 2024-02-16 13:12:54
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其他 - ETC 静态存储器
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7页 549K
描述
x16 SRAM

IDT71V016S12Y 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOJ,针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.72
最长访问时间:12 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J44
JESD-609代码:e0长度:28.575 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.683 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

IDT71V016S12Y 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V016S12YI IDT

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