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IDT71V016S25Y

更新时间: 2024-01-01 07:13:48
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 549K
描述
x16 SRAM

IDT71V016S25Y 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, SOJ-44针数:44
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.72
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J44
JESD-609代码:e0长度:28.575 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX16输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ44,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.683 mm最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.11 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

IDT71V016S25Y 数据手册

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