是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 12 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.41 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 3.15 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.15 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V016SA12PHG | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) |
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IDT71V016SA12PHG18 | IDT |
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Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44 |
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IDT71V016SA12PHG38 | IDT |
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Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44 |
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IDT71V016SA12PHG8 | IDT |
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Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44 |
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IDT71V016SA12PHGI | IDT |
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暂无描述 |
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IDT71V016SA12PHGI8 | IDT |
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Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44 |
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IDT71V016SA12PHI | IDT |
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Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44 |
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IDT71V016SA12PHI8 | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) |
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IDT71V016SA12PHIG | IDT |
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Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44 |
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IDT71V016SA12Y | ETC |
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x16 SRAM |
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