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IDT71V016SA12BF

更新时间: 2024-02-01 23:00:39
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 222K
描述
x16 SRAM

IDT71V016SA12BF 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
针数:44Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.41Is Samacsys:N
最长访问时间:12 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J44JESD-609代码:e0
长度:28.575 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ44,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.683 mm
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:3.15 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.16 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

IDT71V016SA12BF 数据手册

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