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IDT7165L30TP

更新时间: 2024-11-14 20:02:27
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 241K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

IDT7165L30TP 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数:28Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:30 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0长度:34.3535 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.318 mm最大待机电流:0.00006 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.14 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

IDT7165L30TP 数据手册

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