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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, CERDIP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 37.211 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.0002 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7165L35J | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| IDT7165L35J8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| IDT7165L35L32 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7165L35L328 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7165L35LB | ETC |
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x8 SRAM |
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| IDT7165L35P | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| IDT7165L35PE | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT7165L35PE8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT7165L35SO | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT7165L35T | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28 |
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