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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.55 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 11.43 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7165L35L32 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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| IDT7165L35L328 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT7165L35LB | ETC |
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x8 SRAM |
|
| IDT7165L35P | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IDT7165L35PE | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT7165L35PE8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT7165L35SO | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
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| IDT7165L35T | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7165L35TC | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 |
|
| IDT7165L35TCB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 |
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