Datasheet > IDT7165L35TC

IDT7165L35TC

更新时间： 2024-11-14 18:51:47

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	252K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7165L35TC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	35.56 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.00006 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7165L35TCB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28
IDT7165L35TP	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
IDT7165L35Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.350 INCH, SOJ-28
IDT7165L45D	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
IDT7165L45DB	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT7165L45J	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT7165L45J8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
IDT7165L45L32	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT7165L45L328	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT7165L45L32B	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC32, LCC-32