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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP28,.5 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00006 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.115 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7165L55SO | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT7165L55T | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7165L55TB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7165L55TC | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 |
|
| IDT7165L55TCB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 |
|
| IDT7165L55TP | ETC |
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x8 SRAM |
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| IDT7165L55Y | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.350 INCH, SOJ-28 |
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| IDT7165L85DB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7165L85L32B | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CQCC32 |
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| IDT7165L85LB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CQCC32 |
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