是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.63 | 最长访问时间: | 35 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 17.9324 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.556 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 7.5184 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
7164S25YG8 | IDT |
完全替代 |
CMOS Static RAM 64K | |
CY7C185-35VC | CYPRESS |
功能相似 |
8K x 8 Static RAM | |
IDT7164S35Y | IDT |
功能相似 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7164S35YGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-28 | |
IDT7164S35YGI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 | |
IDT7164S35YI | IDT |
获取价格 |
暂无描述 | |
IDT7164S45D | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S45DB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S45DI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7164S45EB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT7164S45J | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7164S45L | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC32 | |
IDT7164S45L28B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |