是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.37 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 17.9324 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ28,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.556 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 7.5184 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
7164S35YGI | IDT |
功能相似 |
CMOS Static RAM 64K |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7164S35YGI8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 | |
IDT7164S35YI | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7164S45D | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S45DB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S45DI | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7164S45EB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT7164S45J | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7164S45L | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC32 | |
IDT7164S45L28B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT7164S45L28B8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |