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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.22 |
| Samacsys Description： | SOIC 300 MIL- J BEND | 最长访问时间： | 25 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 17.9324 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.556 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.5184 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IDT7164S35YGI8 | IDT |
完全替代  |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 |
|
| 7164L25YG8 | IDT |
完全替代 |
CMOS Static RAM 64K |
|
| IDT7164S35YG8 | IDT |
完全替代 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7164S25YG88 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
|
| 7164S25YGI | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
|
| 7164S25YGI8 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
|
| 7164S30L32 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CQCC32 |
|
| 7164S30TCB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDIP28 |
|
| 7164S30XE | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDFP28 |
|
| 7164S35DG8 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
|
| 7164S35DG88 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
|
| 7164S35DGB8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, GREEN, CERDIP-28 |
|
| 7164S35DGI | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
|
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