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IDT7164S25PE

更新时间： 2024-11-15 20:34:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 95K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28

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IDT7164S25PE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.330 INCH, SOIC-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.69最长访问时间：25 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：18.3642 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP28,.5封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.048 mm最大待机电流：0.015 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.17 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：8.763 mm
Base Number Matches：1

IDT7164S25PE 数据手册

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IDT7164S  
IDT7164L  
CMOS STATIC RAM  
64K (8K x 8-BIT)  
Integrated Device Technology, Inc.  
FEATURES:  
DESCRIPTION:  
• High-speed address/chip select access time  
— Military: 20/25/30/35/45/55/70/85ns (max.)  
— Commercial: 15/20/25/30/35ns (max.)  
• Low power consumption  
• Battery backup operation — 2V data retention voltage  
(L Version only)  
• Produced with advanced CMOS high-performance  
technology  
• Inputs and outputs directly TTL-compatible  
• Three-state outputs  
The IDT7164 is a 65,536 bit high-speed static RAM orga-  
nized as 8K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance,  
high-reliability CMOS technology.  
Address access times as fast as 15ns are available and the  
circuit offers a reduced power standby mode. When CS1 goes  
HIGH or CS2 goes LOW, the circuit will automatically go to,  
and remain in, a low-power stand by mode. The low-power (L)  
version also offers a battery backup data retention capability  
at power supply levels as low as 2V.  
All inputs and outputs of the IDT7164 are TTL-compatible  
and operation is from a single 5V supply, simplifying system  
designs. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring  
no clocks or refreshing for operation.  
• Available in:  
— 28-pin DIP, SOIC, SOJ, and CERPACK  
— 32-pin LCC  
• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B  
The IDT7164 is packaged in a 28-pin 300 mil DIP and SOJ;  
28-pin 330 mil SOIC; 28-pin 600 mil DIP; 32-pin LCC; and 28-  
pin CERPACK.  
Military grade product is manufactured in compliance with  
the latest revision of MIL-STD-883, Class B, making it ideally  
suited to military temperature applications demanding the  
highest level of performance and reliability.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
A0  
VCC  
GND  
65,536 BIT  
ADDRESS  
DECODER  
MEMORY ARRAY  
A12  
7
0
I/O  
0
I/O CONTROL  
I/O 7  
CS1  
CS2  
OE  
CONTROL  
LOGIC  
2967 drw 01  
WE  
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.  
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES  
MAY 1994  
1994 Integrated Device Technology, Inc.  
6.5  
DSC-1002/7  
1
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与IDT7164S25PE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT7164S25PE8 IDT

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 		Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28
IDT7164S25PGI IDT

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 		Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
IDT7164S25PI IDT

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 		Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
IDT7164S25TC ETC

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 		x8 SRAM
IDT7164S25TCB IDT

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 		Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28
IDT7164S25TD IDT

获取价格

 		CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
IDT7164S25TDB IDT

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 		CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
IDT7164S25TP IDT

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 		CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
IDT7164S25TPB IDT

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 		CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
IDT7164S25TPG IDT

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 		Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

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