5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.3 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.37 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 34.67 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm | 最大待机电流： | 0.015 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.17 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IDT7164S25TP | IDT |
功能相似  |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7164S25XE | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
|
| IDT7164S25XEB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
|
| IDT7164S25Y | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
|
| IDT7164S25YB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
|
| IDT7164S25YG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28 |
|
| IDT7164S25YGI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 |
|
| IDT7164S25YI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| IDT7164S30D | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
|
| IDT7164S30DB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
|
| IDT7164S30E | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 29ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
