是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | LCC-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.69 | 最长访问时间: | 30 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC32,.45X.55 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 3.048 mm |
最大待机电流: | 0.02 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7164S30L32B8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT7164S30P | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S30PB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S30PE | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7164S30PE8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7164S30SO | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 29ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7164S30T | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7164S30TC | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 29ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
IDT7164S30TCB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 29ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
IDT7164S30TD | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |