是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCN, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.39 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 30 ns |
JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.048 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7164S30P | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S30PB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S30PE | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7164S30PE8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7164S30SO | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 29ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7164S30T | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7164S30TC | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 29ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
IDT7164S30TCB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 29ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
IDT7164S30TD | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S30TDB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |