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IDT7164S35L288

更新时间: 2024-11-15 20:03:15
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 282K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

IDT7164S35L288 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:QLCC
包装说明:LCC-28针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.69
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:S-CQCC-N28
JESD-609代码:e0长度:11.4554 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.54 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:11.4554 mm
Base Number Matches:1

IDT7164S35L288 数据手册

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