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IDT7164S25PE8

更新时间: 2024-11-15 15:34:43
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 286K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28

IDT7164S25PE8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:0.330 INCH, SOIC-28针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.69
最长访问时间:25 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:18.3642 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.048 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:8.763 mmBase Number Matches:1

IDT7164S25PE8 数据手册

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