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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ28,.34 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.09 |
| 最长访问时间： | 19 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 17.9324 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ28,.34 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.556 mm |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.5184 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7164S25D | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
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| IDT7164S25DB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
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| IDT7164S25E | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
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| IDT7164S25EB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
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| IDT7164S25J | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| IDT7164S25J8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| IDT7164S25L28 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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| IDT7164S25L288 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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| IDT7164S25L28B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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| IDT7164S25L32B | ETC |
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x8 SRAM |
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