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IDT7164S25P

更新时间： 2024-11-14 22:57:19

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艾迪悌 - IDT		/
页数	文件大小	规格书
9页	108K
描述
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)

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IDT7164S25P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.64	最长访问时间：	25 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	36.576 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.699 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.17 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

IDT7164S25P 数据手册

IDT7164S

IDT7164L

CMOS STATIC RAM

64K (8K x 8-BIT)

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES:

DESCRIPTION:

• High-speed address/chip select access time

— Military: 20/25/30/35/45/55/70/85ns (max.)

— Commercial: 15/20/25/35/70ns (max.)

• Low power consumption

• Battery backup operation — 2V data retention voltage

(L Version only)

• Produced with advanced CMOS high-performance

technology

• Inputs and outputs directly TTL-compatible

• Three-state outputs

The IDT7164 is a 65,536 bit high-speed static RAM orga-

nized as 8K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance,

high-reliability CMOS technology.

Address access times as fast as 15ns are available and the

circuit offers a reduced power standby mode. When CS1 goes

HIGH or CS2 goes LOW, the circuit will automatically go to,

and remain in, a low-power stand by mode. The low-power (L)

version also offers a battery backup data retention capability

at power supply levels as low as 2V.

All inputs and outputs of the IDT7164 are TTL-compatible

and operation is from a single 5V supply, simplifying system

designs. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring

no clocks or refreshing for operation.

• Available in:

— 28-pin DIP and SOJ

• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

The IDT7164 is packaged in a 28-pin 300 mil DIP and SOJ;

and 28-pin 600 mil DIP.

Military grade product is manufactured in compliance with

the latest revision of MIL-STD-883, Class B, making it ideally

suited to military temperature applications demanding the

highest level of performance and reliability.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A₀

V_CC

GND

65,536 BIT

ADDRESS

DECODER

MEMORY ARRAY

A₁₂

I/O

I/O CONTROL

I/O 7

CS₁

CS₂

CONTROL

LOGIC

2967 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

MAY 1996

1996 Integrated Device Technology, Inc.

2967/8

For latest information contact IDT's web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.

6.1

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与IDT7164S25P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7164S25PB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
IDT7164S25PE	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28
IDT7164S25PE8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28
IDT7164S25PGI	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
IDT7164S25PI	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
IDT7164S25TC	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT7164S25TCB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28
IDT7164S25TD	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
IDT7164S25TDB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
IDT7164S25TP	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)

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